Лабораторія
КОМПЛЕКС ЗОНДОВОЇ ТА ЕЛЕКТРОННОЇ МІКРОСКОПІЇ

• сканувальний зондовий мікроскоп  NanoScope IIIa Dimension 3000тм (Bruker Corp.);

• польово-емісійний сканувальний електронний мікроскоп  SIGMA 500 VP (донат Carl Zeiss Corp.);

• оптичний мікроскоп NU-2E (Carl Zeiss);

Можливості NanoScope IIIa: 

• атомно-силова мікроскопія і спектроскопія;

• магнітна та електростатична мікроскопія;

• силова Кельвін-зонд мікроскопія;

• провідна та ємнісна мікроскопія (картографування та локальні ВАХ і ВФХ);

• наноіндентування і картографування пружних властивостей поверхонь;

• нанотрібологія та зносостійкість;

• елементи нанолітографії (механічна та електрична) і наноманіпуляцій;

розмір об’єму сканування 100х100х4,5 мкм, максимальний діаметр зразків 200 мм, висота 15 мм;
чутливість поверхневого потенціалу 0,1 мВ;
діапазон струмів провідної АСМ від 1 пА до 1 мкА, напруги зміщення в діапазоні +/- 12 В;
чутливість ємнісної мікроскопії 10-22Ф/Гц0,5, амплітуда змінної напруги від 0,1 до 15 В, частота від 5 до 100 кГц.
діапазон навантажень при індентуваннві від одиниць нН до сотень мкН;

Можливості SIGMA 500 VP: 

• польово-емісійна сканувальна електронна мікроскопія високої роздільної здатності; ;

• SE-мікроскопія з використанням InLens SE детектора та детектора вторинних електронів Евергарта—Торнлі;

• BSE-мікроскопія з композиційним, топографічним та матеріальним контрастом із використанням 5-сегментного HDBSD-детектора;

• C2D-мікроскопія з використанням Cascade Current Detector для розширеного контрастування поверхні та слабо провідних зразків;

• робота у високому вакуумі та режимі змінного тиску VP для дослідження непровідних, пористих, порошкових і заряджених матеріалів;

• просвічувальна сканувальна електронна мікроскопія тонких зразків з використанням aSTEM4-детектора у режимах BF, DF, ODF, ADF та HAADF;

• енергодисперсійний рентгенівський мікроаналіз EDS/EDX: спектри, багатоточковий аналіз, лінійне сканування, елементне картографування та кількісний аналіз;

роздільна здатність 0,8 нм при 15 кВ, 1,3 нм при 1 кВ, у VP-режимі до 1,5 нм при 30 кВ;
діапазон прискорювальної напруги 0,02–30 кВ, діапазон струмів зонда 3 пА – 20 нА, у режимі High Current — до 100 нА;
EDS-детектор SmartEDX 30 мм², енергетична роздільна здатність 129 еВ, швидкість рахунку до 600 kcps, Silicon Nitride Window;
моторизований 5-осьовий евцентричний столик: X/Y = 130 мм, Z = 50 мм, нахил від −4° до +70°, обертання 360°;
камера зразків діаметром 358 мм і висотою 270,5 мм, тримачі для стандартних SEM-зразків, багатоцільові тримачі та STEM-тримачі для TEM-сіток;
більш  детально за  посиланням  ZEISS Sigma family

• набір методів цифрової оптичної мікроскопії, у тому числі стекова мікроскопія динамічного фокусу та фотограмметрія;

• атестовані метрологічні вимірювання геометрії елементів поверхонь мікронних, нанометрових та субнанометрових розмірів;