КОМПЛЕКС МАС-СПЕКТРОМЕТРИЧНОГО АНАЛІЗУ ТА Х-ПРОМЕНЕВОЇ ФОТОЕЛЕКТРОННОЇ СПЕКТРОСКОПІЇ

• ATOMIKA 4000: визначення елементного складу на поверхні зразків від водню до урану, концентрації на рівні від ppm до ppb.
  Профілювання домішок по глибині та розподіл домішок по поверхні зразків з роздільною здатністю не гірше 3 нм та 0,5 мкм, відповідно.

• INA-3: елементний аналіз в режимах прямого (DBM) і високочастотного (HFM) бомбардування.
  Діапазон мас 1- 250 а.о.м. Чутливість < 10 ppm. Гранична роздільна здатність по глибині < 1 nm.

• XPS: кількісний елементний від Li до U, аналіз поверхні з чутливістю до 0,1 ат.%;
  аналіз хімічних зв’язків на поверхні, що, зокрема, дозволяє визначити кількісний фазовий та хімічний склад;
  аналіз поверхні на глибину до 10 нм та по площі 0,5-1 мм х 3,5 мм.

Small-area depth profiling in a quadrupole based SIMS instrument. Wittmaack K. Int. J. Mass Spectrom. Ion Process. 1995. Vol. 143, P. 19–27.
https://doi.org/10.1016/0168-1176(94)04114-M .

Secondary Neutral Mass Spectrometry. Oechsner H. in: Ref. Modul. Chem. Mol. Sci. Chem. Eng., Elsevier, 2013: pp. 19–27.
https://doi.org/10.1016/B978-0-12-409547-2.00526-6 .

The influence of different ratio of Ar and CH66 gases and ion bombardment on the growth rate and sp3 bonds content in DLC-coatings synthesized in RF discharge. Omarov, A. ; Kalinichenko, A. search by orcid ; Strel'nitskij, V. ; Nasieka, Danylenko, I. ; Boyko, M. ; Sabov, T. Physics Letters A. 2022. 443, 128221. https://doi.org/10.1016/j.physleta.2022.128221

Ar-implanted vanadium dioxide thin film with the reduced phase transition temperature. O.Liubchenko. V.Kladko, V.Melnik, B.Romanyuk, O.Gudymenko, T.Sabov, O.Dubikovskyi, Z.Maksimenko, O.Kosulya, O.Kulbachynskyi. Materials Letters. 2022. 314, 131895. https://doi.org/10.1016/j.matlet.2022.131895 .

The elemental composition mixing in a Mo/Si multilayer structure under overheating. Oberemok, O., Sabov, T., Dubikovskyi, O., Kosulya, O., Melnik, V., Romanyuk, B., ... & Pershyn, Y. (2021). Materials Today: Proceedings, 35, 579-583. https://doi.org/10.1016/j.matpr.2019.11.018 .

Deformation state of short-period AlGaN/GaN superlattices at different well-barrier thickness ratios. Kladko, V. P., Safriuk, N. V., Stanchu, H. V., Kuchuk, A. V., Melnyk, V. P., Oberemok, A. S., ... & Yavich, B. S. (2014).. Semiconductor physics quantum electronics & optoelectronics. https://doi.org/10.15407/spqeo17.04.317 .

інші публікації публікації