ВИМІРЮВАЛЬНИЙ КОМПЛЕКС ДЛЯ ЕКСПРЕСНОГО КОНТРОЛЮ НАПІВПРОВІДНИКОВИХ МАТЕРІАЛІВ І НАНОРОЗМІРНИХ ПРИЛАДІВ
Обладнання:
оптичний мікроскоп Axioskop 2 MAT (Сarl Zeiss);
аналізатор параметрів напівпровідникових структур Agilent 4156;
вимірювач LCR Agilent 4284;
прецизійне джерело живлення Keithley 6487;
пікоамперметр Keithley 6485;
система вимірювання ефекту Холла ezHEMS™ (NanoMagnetic Instruments).
чотиризондова установка з можливістю нагріву зразка до 120 oС;
азотний кріостат з двома зондами для вимірювань в діапазоні температур 77 - 350 oК;
Можливості:
електрофізичні дослідження напівпровідникових структур в режимах постійного та змінного струму;
на постійному струмі: вольт-амперні характеристики (діапазон напруг - 0.01 - 200 В, діапазон струмів - 10 пА - 20 мА);
на змінному струмі (діапазон частот 50 Гц - 1 МГц):вольт-фарадні характеристики;
адмітансна спектроскопія (G, C vs. V, T);
імпедансна спектроскопія (R, X vs. V, T);Холл вимірювання: вольт-амперні характеристики, опір, питомий опір, поверхневий опір, магнітоопір, концентрація носіїв, рухливість Холла, коефіцієнт Холла як функції температури. Вимірювання проводяться в режимі постійного струму / в постійному магнітному полі (± 0,976 Тесла) в діапазоні температур 80 - 775 oК. Зразки у конфігурації ван дер Пау та Холла;
цифрова оптична мікроскопія: світле та темне поле, поляризаційний контраст, люмінесценція, диференційно-інтерференційний контраст.
Вибрані публікації
V.S. Lysenko, Y.V. Gomeniuk, V.N. Kudina, N.P. Garbar, S.V. Kondratenko, Ye.Ye. Melnichuk, and Y.N. Kozyrev, Hopping conduction and LF noise in structures with Ge nanoclusters grown on oxidized Si(001). Journ. of Materials Sci., 2016, vol. 51, p. 8799 –8811. https://doi.org/10.1007/s10853-016-0071-9
O.M. Slobodian, A.V. Rusavsky, A.V. Vasin, O.Yu. Khyzhun, O.I. Gudymenko, V.P. Kladko, A.S. Nikolenko, B.I. Tsykaniuk, P.M. Lytvyn, Yu.V. Gomeniuk, O.M. Fesenko, and A.N. Nazarov, Highly porous carbon films fabricated by magnetron plasma enhanced chemical vapor deposition: Structure, properties and implementation. Applied Surface Science, vol. 496, 2019, 143735. https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2019.143735
S. Kondratenko, V.S. Lysenko, Y.V. Gomeniuk, O.S. Kondratenko, Y.N Kozyrev, O.V. Selyshev, V.M. Dzhagan, and D. R. T. Zahn, Improved rectification and transport properties of hybrid PEDOT:PSS/Ge/Si heterojunctions with Ge nanoclusters. J. Appl. Phys., vol. 128, 2020, 085503. https://doi.org/10.1063/5.0016422
A.V. Vasin, A.V. Rusavsky, E.G. Bortchagovsky, Y.V. Gomeniuk, A.S. Nikolenko, V.V. Strelchuk, R.Yatskiv, S. Tiagulskyi, S. Prucnal, W. Skorupa, A.N. Nazarov, Methane as a novel doping precursor for deposition of highly conductive ZnO thin films by magnetron sputtering. Vacuum, vol. 174, 2020, 109199. https://doi.org/10.1016/j.vacuum.2020.109199
O.M. Slobodian, P.N. Okholin, P.M. Lytvyn, S.V. Malyuta, O.Yu. Khyzhun, A.V. Vasin, A.V. Rusavsky, Yu.V. Gomeniuk, V.I. Glotov, T.M. Nazarova, O.I. Gudymenko, A.N. Nazarov, Plasma treatment as a versatile tool for tuning of sorption properties of thin nanoporous carbon films. Applied Surface Science, vol. 544, 2021, 148876. https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2020.148876
Гоменюк Юрій Вікторович, канд. фіз.-мат. наук, ст.н.с.
тел./факс: +38 (044) 525-59-40, e-mail: yurigom@lab15.kiev.ua