Books

FUNCTIONAL NANOMATERIALS AND DEVICES FOR ELECTRONICS, SENSORS AND ENERGY HARVESTING
Alexei Nazarov, Francis Balestra, Valeriya Kilchytska and Denis Flandre
Springer International Publishing Switzerland (2014), 467 p.
Chapter: Scanning Probe Microscopy in Practical Diagnostic: 3D Topography Imaging and Nanometrology
Petro M. Lytvyn




EFFECT OF ACTIVE ACTIONS ON THE PROPERTIES OF SEMICONDUCTOR MATERIALS AND STRUCTURES http://194.44.11.166/download/googlesites/book_draft%20Effect%20of%20Active%20actions%202007.pdf
E.D. Atanassova, A.E. Belyaev, R.V. Konakova, P.M. Lytvyn, V.V. Milenin, V.F. Mitin, V.V. Shynkarenko
Kharkiv (2007) 216 p.

The monograph deals with the physico-technological aspects of interaction of microwave radiation with semiconductor materials and device structures made on their basis. The effect of active actions (microwave treatment, 60Со γ-irradiation and rapid thermal annealing) on the processes of structural relaxation in the ТіВ2–GaAs (InP, GaP, SiC) contacts is considered. An analysis is made of the features of the effect of microwave and 60Со γ-radiation on the electrical characteristics of resonant tunneling diodes made on the basis of AlGaAs–GaAs heterojunctions, as well as gallium arsenide tunnel diodes with a delta-layer in the space-charge region. The experimental data on the effect of microwave radiation on defect modification in the SiO2–GaAs (SiC) structures are presented. The effects in the nanocrystalline silicon–silicon systems induced by microwave radiation are considered. Much space is given to the effects produced by microwave and 60Со γ-irradiation in the Та2О5–Si structures, depending on the conditions of Та2О5 formation. The monograph is intended for researchers and those engaged in development of microwave devices. It may be of use also to post-graduates and undergraduates specializing in the corresponding areas.


X-RAY OPTIC EFFECTS IN MULTILAYERED PERIODIC STRUCTURES (in Ukrainian) 
http://194.44.11.166/download/googlesites/book_kladko_optics_2006.pdf
Kladko V.P., Machulin V.F., Grygoryev D.O., Prokopenko I.V.
Kyiv (2006) 288 p. 
У даній монографії викладені результати праць, у яких при врахуванні динамічних ефектів багаторазовості розсіяння розглянуті методи кількісної неруйнівної діагностики характеристик нанорозмірних структур на основі монокристалів зі складною гетерогенною структурою, зокрема: гетерошарами і квантовими ямами і періодичною шаруватою структурою (надґратками) із самоорганізованими ґратками квантових точок.


DIFFRACTOMETRY OF NANODIMENSIONAL DEFECTS AND HETEROLAYERS OF CRYSTALS (in Russian) 
http://194.44.11.166/download/googlesites/book_difrnano_2005.pdf
V.B. Molodkin, A.I. Nizkova, A.P. Shpak, V.F. Machulin, V.P. Kladko, I.V. Prokopenko, R.N. Kyutch, E.N. Kislovsky, S.I. Olihovsky, E.V. Pervak, I.M. Fodchuk, A.A. Dyshekov, Yu.P. Hapachev
Kyiv (2005) 312p.

В монографии анализируются новые уникальные возможности диагностики дефектов и характеристик основных структурных параметров наносистем на основе использования кинематической и динамической теорий диффузного рассеяния ренгеновских лучей дефектами кристаллов. Впервые демонстрируются принципиально новые функциональные возможности разработанных методов диагностики, использующих динамические эффекты диффузного рассеяния, в частности такие, как интегральная дифрактометрия быстропротекающих процессов структурных изменений, которая оказывается особенно эффективной для источников синхротронного излучения. Показана качественно новая возможность неразрушающей количественной диагностики характеристик дефектов одновременно нескольких типов. Даются впервые основы неразрушающей селективной по глубине диагностики характеристик дефектов в каждом из слоев гетеросистем. Иллюстрируется при сохранении всех перечисленных новых функциональных возможностей уникальная чувствительность разработанных методов диагностики нового поколения к характеристикам наноразмерных дефектов и наноструктур в монокристалллических объектах со сложной гетероструктурой. К их числу относятся как упруго изогнутые кристаллы, монокристаллы с нарушенными поверхностными слоями, гетероструктуры с наноразмерными слоями и переходными областями, так и сверхрешетки с самоорганизованными решетками квантовых точек.
Данное издание, по мнению авторов, будет полезным для исследователей в области диагностики дефектов в кристаллах и изделиях нанотехнологий, а также аспирантов и студентов соответствующих специальностей.



EFFECT OF MICROWAVE AND LASER RADIATIONS ON THE PARAMETERS OF SEMICONDUCTOR STRUCTURES http://194.44.11.166/download/googlesites/book_Konakova_book_2002.pdf
A.E. Belyaev, E.F. Venger, I.B. Ermolovich, R.V. Konakova
, P.M. Lytvyn, V.V. Milenin, I.V. Prokopenko, G.S. Svechnikov,E.A. Soloviev, L.I. Fedorenko
Kyiv (2002) 192 p.
For a wide range of semiconductors (GaAs, GaP, InP, InSb, CdxHg1-xTe, SiC), as well as contact structures based on them, that are of importance in engineering, the monograph gives, in a systematized and generalized form, the results of investigation of their properties modification under action of high-power microwave radiations and nanosecond laser pulses. The physical models for production, annihilation and annealing of point defects and impurity-defect complexes in irradiated materials are considered. An analysis is made of the features of radiation-stimulated mass transport, chemical reactions, formation of new phases in various contact structures, and they are related to the parameters of surface-barrier structures. Much space is given to the elastic stress relaxation due to microwave radiation, depending on the initial impurity-defect condition of materials, their surface morphology and irradiation mode. The authors substantially lean on their own experience in this area. They pay special attention to the use of microwave and laser processing of semiconductor materials for improvement of their structural perfection and development, on their basis, of ohmic and barrier contacts having improved parameters.
The monograph is intended for researchers and specialists engaged in semiconductor electronics. It may be of use also to lecturers, post-graduates and undergraduates dealing with the above problems.