2005-2009

2009
  1. Direct surface relief formation in As0.2Se0.8 layers. Trunov M, Lytvyn P, Takats V, Charnovich I, Kokenyesi S. // Journal of Optoelectronics and Advanced Materials. 2009;11(12):1959-62. [pdf]
  2. Surface morphology of as-deposited and illuminated As-Se chalcogenide thin films.Trunov ML, Nagy PM, Takats V, Lytvyn PM, Kokenyesi S, Kalman E. // J Non Cryst Solids. 2009;355(37-42):1993-7. [pdf]
  3. Conductive-atomic force microscopy characterization of Ta2O5/SiOstacks and the effect of microwave irradiation. Atanassova E, Lytvyn P, Konakova RV, Mitin VF, Spassov D. // J Phys D. 2009;42(14). [pdf]
  4. Three-dimensional ordering in self-organized (In,Ga)As quantum dot multilayer structures. Kladko V, Slobodian M, Lytvyn P, Strelchuk V, Mazur Y, Marega E, et al.// Physica Status Solidi (A) Applications and Materials. 2009;206(8):1748-51. [pdf]
  5. On the complex behavior of strain relaxation in (In,Ga)As/GaAs(001) quantum dot molecules. Hanke M, Dubslaff M, Schmidbauer M, Wang ZM, Mazur YI, Lytvyn PM, et al. // Appl Phys Lett. 2009;95(2). [pdf]
  6. Study by the bioadhesive interactions on gold, silicon and glass by means of a method of an atomic force spectroscopy. Alekseeva TA, Yermolenko IS, Lazarenko OM, Lebovka MI, Lytvyn PM, Oshkadyorov SP, et al. // Metallofizika i Noveishie Tekhnologii. 2009;31(2):241-8. 
  7. Au-TiBx-n-6H-SiC schottky barrier diodes: Specific features of charge transport in rectifying and nonrectifying contacts. Ageev OA, Belyaev AE, Boltovets NS, Ivanov VN, Konakova RV, Kudryk YY, Lytvyn PM, Milenin VV, Sachenko AV.  // Semiconductors. 2009;43(7):865-71. 
  8. Диоды с барьером Шоттки Au-TiBx-n-6H-SiC:особенности токопереноса в выпрямляющих и невыпрямляющих контактах.О.А.Агеев, А.Е.Беляев, Н.С.Болтовец, В.Н.Иванов, Р.В.Конакова, Я.Я.Кудрик, П.М.Литвин, В.В.Миленин, А.В.Саченко. // ФТП, 2009, том 43, выпуск 7, 897-903. [pdf]
  9. One-dimensional features of In(Ga)As/GaAs dot chain structures with changeable interdot coupling. Mazur YI, Dorogan VG, Marega Jr. E, Lytvyn PM, Zhuchenko ZY, Tarasov GG, et al. // New Journal of Physics. 2009;11.  [pdf]
  10. Diluted magnetic semiconductors based on II-VI, III-VI, and IV-VI compounds. Lashkarev GV, Sichkovskiyi VI, Radchenko MV, Karpina VA, Butorin PE, Dmitriev OI, et al. // Low Temp Phys. 2009;35(1):62-70. 
  11. Магниторазведенные ферромагнитные полупроводники на основе соединений II-VI, III-VI и IV-VI. Г.В. Лашкарев, В.И. Сичковский, M.В. Радченко, В.А. Карпина, П.Е. Буторин, А.И. Дмитриев, В.И. Лазоренко, Е.И. Слинько, П.Н. Литвин, Р. Якела, В. Кнофф, Т. Стори, П. Алешкевич //Физика низких температур, Том 35, Выпуск 1,(81-91).
  12. Effect of Si infiltration method on the properties of biomorphous SiC. V.S. Kiselov, E.N. Kalabukhova, A.A. Sitnikov, P.M. Lytvyn, V.I. Poludin, V.O. Yukhymchuk, A.E. Belyaev // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 2009. V. 12, N 1. P. 68-71. [pdf]
  13. Nanostructures of Plumbum Telluride Vapour Fase Method Grown on Silicon Monocrystals with Oxide Layer (Наноструктури телуриду свинцю, вирощені у вакуумі з парової фази на монокристалах кремнію із оксидною плівкою). D.M. Freik, P.M. Lytvyn, І.М. Lishchynskyy, V.V. Bachuk, I.V. Gorichok // PHYSICS AND CHEMISTRY OF SOLID STATE V. 10, № 1 (2009) P. 116-120 [pdf]  
  14. The Processes of Growth of Nanoscale Structures PbTe and Ostwald Maturation (Процеси росту нанорозмірних структур PbTe і оствальдівське дозрівання). D.M. Freik, P.M. Lytvyn I.I. Chaviak, I.M. Lishchynskyy, V.V. Bachuk, O.S. Krynytskyy // PHYSICS AND CHEMISTRY OF SOLID STATE V. 10, № 4 (2009) P. 789-799. [pdf]
  15. Photocatalytic growth of CdS, PbS, and CuxS nanoparticles on the nanocrystalline TiO2 films. Zhukovskiy, M.A., Stroyuk, A.L., Shvalagin, V.V., Smirnova, N.P., Lytvyn, O.S., Eremenko, A.M. // Journal of Photochemistry and Photobiology A: Chemistry, 2009, 203 (2-3), pp. 137-144.
  16. Laser assisted au nanocrystal formation in conditions of surface plasmon resonance. Fedorenko, L., Snopok, B., Yusupov, M., Lytvyn, O., Burlachenko, Y.// Acta Physica Polonica A, 2009, 115 (6), pp. 1075-1077. [pdf]
  17. Radiation effects in multilayer ohmic contacts Au-Ti-Al-Ti-n-GaN. Belyaev, A.E., Boltovets, N.S., Ivanov, V.N., et al. //Semiconductors, 2009, 43 (7), pp. 872-876
  18. Радиационные эффекты в многослойных омических Au-Ti-n-GaN. Беляев А.Е., Болтовец Н.С., Иванов В.Н. и др. // ФТП, 2009, том 43, вып.7, ст 904-908 [pdf]
  19. Optical Properties of the Si-Doped GaN/Al2O3 Films. N. S. Zayats, P. O. Gentsar, V. G. Boiko, O. S. Litvin, M. V. Vuychik, A. V. Stronski, and I. B. Yanchuk // Semiconductors, 2009, 43 (5), pp. 590-593.
  20. Оптические свойства пленок GaN/Al2O3, легированных кремнием. Заяц Н.С., Генцарь П.А., Бойко В.Г. и др. // ФТП, 2009, том 43, вып. 5, 617-620. [pdf]
  21. Effect of polymer layer deposition and annealing on photovoltaic properties of CuInS2/polymer structures. A .B. Verbitskya, Y.Vertsimakha, S.Studzinski, et al. // Proceedings of the Estonian Academy of Sciences, 2009, 58, 1, 18–23[pdf]
  22. Морфологія поверхні та спектри пропускання плівок халькогенідів свинцю. С.М. Левицький , О.І. Власенко , П.О. Генцарь , О.С. Литвин , В.П. Папуша, Ц.А. Криськов // Фізика i хімія твердого тіла, 2009, Т.10, № 2 С. 311-314[pdf]
  23. Динамика радиационных дефектов в приповерхностной области образцов природного кварца при распылении пучком ионов кислорода.  Диденко П.И., Ефремов А.А. //Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2009, № 4, с. 87–94.

2008
  1. Engineering of 3D self-directed quantum dot ordering in multilayer InGaAs/GaAs nanostructures by means of flux gas composition. Lytvyn PM, Mazur YI, Marega Jr. E, Dorogan VG, Kladko VP, Slobodian MV, et al. // Nanotechnology. 2008;19(50). [pdf]
  2. Deep traps in GaAs/InGaAs quantum wells and quantum dots, studied by noise spectroscopy. Kunets VP, Morgan TA, Mazur YI, Dorogan VG, Lytvyn PM, Ware ME, et al. // J Appl Phys. 2008;104(10). [pdf]
  3. Multi-color photoresponse based on interband and intersubband transitions in InAs and InGaAs quantum dot photodetectors. Passmore BS, Wu J, Decuir Jr. EA, Manasreh O, Lytvyn PM, Kunets VP, et al. //Materials Research Society Symposium Proceedings 1055, pp. 18-23; 2008.
  4. Characteristics of lateral transport in In0.35Ga 0.65As/GaAs quantum dot heterostructures with variation of size, shape and density of quantum dots. Kunets VP, Ware ME, Lytvyn PM, Mazur YI, Tarasov GG, et al. // Materials Research Society Symposium Proceedings 1117, pp. 7-12;  2008. p. [pdf]
  5. Observation of unique blister-like surface features on amorphous metallic alloys following bombardment with deuterium ions. // Bardamid AF, Voitsenya VS, Lytvyn OS, Lytvyn PM, Konovalov VG, Shapoval AN, et al. // J Nucl Mater. 2008;376(1):125-7. [pdf]
  6. Broadband photoresponse from InAs quantum dots embedded in a graded well for visible to mid-infrared detection. Passmore BS, Wu J, DeCuir Jr. EA, Manasreh O, Lytvyn PM, Marega Jr. E, et al. //Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering, art. no. 69000O; 2008.
  7. Room temperature near-infrared photoresponse based on interband transitions In0.35Ga0.65 as multiple quantum dot photodetector. Passmore BS, Wu J, Manasreh MO, Kunets Vasyl P. VP, Lytvyn PM, Salamo GJ. // IEEE Electron Device Lett. 2008;29(3):224-7[pdf]
  8. Effect of the applied magnetic field on formation of complex polyaniline films. Oleg P Dimitriev, Petro M Lytvyn, Alla P Dimitriyeva and Ostap M Getsko //PMC Physics B 2008, 1:15. [pdf]
  9. Особливості   топометрії   наноструктур   методом   атомно-силової  мікроскопії. О. С. Литвин, П. М. Литвин, І. В. Прокопенко, Т. І. Шеремета // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології 2008, т. 6, № 1, сс. 33—44. [pdf]
  10. Effect of grown-in defects on the structure of oxygen precipitates in CZ –Si crystals with different diameter. V. G. Litovchenko, I.P. Lisovskii, C. Claeys, V. Klad’ko, Efremov A.A. et al. //Solid State Phenomena, 131-133, (2008) pp 405-412.
  11. Growth of arrays of silicon nanowires with centrosymmetric distribution over silicon substrate. D. Hourlier, A. Klimovskaya, A. Efremov, N. Grigor’ev, Yu. Moklyak, I. Prokopenko //Superlattices and Microstructures 44 (2008) 362–373.
  12. Multilevel modeling of the influence of surface transport peculiarities on growth, shaping, and doping of Si nanowires. A. Efremov, A. Klimovskaya, I.Prokopenko ,Yu. Moklyak, D.Hourlier //Physica E 40 (2008) 2446–2453.
  13. Age-induced oxide on cleaved surface of layered GaSe single crystals. Drapak, S.I., Gavrylyuk, S.V., Kovalyuk, Z.D., Lytvyn, O.S. // Applied Surface Science, 2008, 254 (7), pp. 2067-2071
  14. SWNT-DNA and SWNT-polyC hybrids: AFM study and computer modeling. Karachevtsev, M.V., Lytvyn, O.S., Stepanian, S.G., Leontiev, V.S., Adamowicz, L., Karachevtsev, V.A. // Journal of Nanoscience and Nanotechnology, 2008, 8 (3), pp. 1473-1480
  15. Native oxide emerging of the cleavage surface of gallium selenide due to prolonged storage. Drapak, S.I., Gavrylyuk, S.V., Kovalyuk, Z.D., Lytvyn, O.S. // Semiconductors, 2008, 42 (4), pp. 414-421.
  16. Собственный окисел, возникающий на поверхности скола селенида галлия в результате длительного хранения. Драпак С.И., Гаврилюк С.В., Ковалюк З.Д., Литвин O.C. // ФТП, 2008, том 42, вып. 4, ст. 423-430
  17. Thermal-resistant TiBx-n-GaP Schottky diodes. Belyaev, A.E., Boltovets, N.S., Ivanov, V.N., et al. // Semiconductors, 2008, 42 (4), pp. 453-457
  18. Термостойкий диод Шоттки TiBx-n-GaP. Беляев А.Е., Болтовец Н.С., Иванов В.Н., и др. // ФТП, 2008, том42, вып. 4. 463-467[pdf]
  19. Thermally induced changes in thin gold films detected by polaritonic ellipsometry. Romanyuk, V.R., Kondratenko, O.S., Fursenko, O.V., Lytvyn, O.S., Zynyo, S.A., Korchovyi, A.A., Dmitruk, N.L. // Materials Science and Engineering B: Solid-State Materials for Advanced Technology, 2008, 149 (3), pp. 285-291
  20. Properties of barrier contacts with nanosize TiBx layers to InP. Arsentyev, I.N., Bobyl, A.V., Tarasov, I.S., et al.// Semiconductors, 2008, 42 (7), pp. 777-782
  21. Свойства барьерных контактов к InP с наноразмерными слоями TiBx. Арсентьев И.Н., Бобыль А.В., Тарасов И.С. и др. // ФТП, 2008, том 42, вып. 7. 793-798 [pdf]
  22. Surface topology of GaSe oxidized crystals. Kovalyuk, Z.D., Katerynchuk, V.M., Savchuk, A.I., Lytvyn, O.S. // Superlattices and Microstructures, 2008, 44 (4-5), pp. 416-419
  23. The formation of organic (propolis films)/inorganic (layered crystals) interfaces for optoelectronic applications. Drapak, S.I., Bakhtinov, A.P., Gavrylyuk, S.V., Kovalyuk, Z.D., Lytvyn, O.S. // Superlattices and Microstructures, 2008, 44 (4-5), pp. 563-570
  24. Adsorption of poly(rA) on the carbon nanotube surface and its hybridization with poly(rU). Karachevtsev, V.A., Gladchenko, G.O., Karachevtsev, M.V., Valeev, V.A., Leontiev, V.S., Lytvyn, O.S. // ChemPhysChem, 2008, 9 (14), pp. 2010-2018.
  25. Surface self-ordering in obliquely deposited As2S3 films. Sopinskyy, M.V., Mynko, V.I., Indutnyi, I.Z., Lytvyn, O.S., Shepeliavyi, P.E.// Chalcogenide Letters, 2008, 5 (11), pp. 239-247
  26. Effect of interface texturing on optical and photoelectric properties of organic/inorganic semiconductor heterojunctions. Dmitruk, N.L., Borkovskaya, O.Yu., Mamykin, S.V., Naumenko, D.O., Lytvyn, O.S., Kotova, N.V., Vertsimakha, Ya.I. // Molecular Crystals and Liquid Crystals, 2008, 496, pp. 118-130. [pdf]
  27. RNA-wrapped carbon nanotubes aggregation induced by polymer hybridization. Karachevtsev, V.A., Gladchenko, G.O., Karachevtsev, M.V., Glamazda, A.Yu., Leontiev, V.S., Lytvyn, O.S., Dettlaff-Weglikowska, U. // Molecular Crystals and Liquid Crystals, 2008, 497, pp. 7/[339]-19/[351]
  28. Deposition of Carbon Films Using Close Space Sublimation. V. S. Khomchenko, N. V. Sopinskii, A. K. Savin, O. S. Litvin, N. S. Zayats, V. B. Khachatryan, and A. A. Korchevoi// Technical Physics, 2008, Vol. 53, No. 6, р. 757-762
  29. Получение углеродных пленок методом близкого переноса. Хомченко В.С., Сопинський Н.В., Савин А.К., Литвин О.С., Заяц Н.С., Хачатрян В.Б., Корчевой А.А. // ЖТФ, 2008, том 78. Вып. 6. Ст 84-89 [pdf]
  30. Optical Studies of AlN/n-Si(100) Films Obtained by the Method of High-Frequency Magnetron Sputtering. N. S. Zayats, V. G. Bojko, P. A. Gentsar, O. S. Litvin, V. P. Papusha, N. V. Sopinskiі // Semiconductors, 2008, 42 (2), pp. 195-198
  31. Оптические исследования пленок AIN/n-Si(100) полученных методом высокочастотного магнетронного распыления. Заяц Н.С., Бойко В.Г., Генцарь П.А., Литвин О.С., Папуша В.П., Сопинский Н.В. // ФТП, 2008, том 42, вып. 2, ст. 195-198 [pdf]
  32. Emission of carbon nanotube-DNA-GOX bionanohybrid for glucose detection. Karachevtsev, V.A., Glamazda, A.Y., Karachevtsev, M.V., Lytvyn, O.S., Dettlaff-Weglikowska, U. // Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering 6796, art. no. 679625, 2008
  33. Research on the growth of dye film in vacuum in situ. Grytsenko, K., Doroshenko, T., Kolomzarov, Yu., et al. // Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering 6999, art. no. 69991Z, 2008


2007
  1. Two-dimensional ordering of (In,Ga)As quantum dots in vertical multilayers grown on GaAs(100) and (n11). Lytvyn P.M, Strelchuk V.V, Kolomys O.F, Prokopenko I.V, Valakh M.Y, Mazur Y.I, et al. // Appl Phys Lett. 2007;91(17). [pdf]
  2. Initial stages of chain formation in a single layer of (In,Ga)As quantum dots grown on GaAs (100). Schmidbauer M, Wang ZM, Mazur YI, Lytvyn PM, Salamo GJ, Grigoriev D, et al..// Appl Phys Lett. 2007;91(9). [pdf]
  3.  Influence of plasma discharge on the structure of polytetrafluoroethylene film and step coverage on polymer substrate. Grytsenko KP, Lytvyn PM, Friedrich J, Schulze RD, Schrader S. // Materials Science and Engineering C 27 (2007) 1227–1231. [pdf]
  4. Quantized field-electron emission at 300 K in self-assembled arrays of silicon nanowires. Klimovskaya AI, Raichev OE, Dadykin AA, Litvin YM, Lytvyn PM, Prokopenko IV, et al. // Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures. 2007;37(1-2):212-7. [pdf]
  5. Lateral ordering of quantum dots and wires in the (in,ga)As/GaAs(100) multilayer structures. Strel'chuk VV, Lytvyn PM, Kolomys AF, Valakh MY, Mazur YI, Wang ZM, et al. // Semiconductors. 2007;41(1):73-80. [pdf]
  6. Латеральное упорядочение квантовых точек и нитей в многослойных структурах (In,Ga)As/GaAs (100). В.В. Стрельчук, П.М. Литвин, А.Ф. Коломыс, М.Я. Валах, Yu.I. Mazur, Zh.M. Wang, G.J. Salamo. // Физика и техника полупроводников, 2007, том 41, вып. 1, с. 74-81. [pdf]
  7. Определение модуля Юнга по упругому участку диаграммы внедрения индентора Берковича. Кущ В.И., Дуб С.Н., Литвин П.М. // Сверхтвердые материалы, №4, 2007, сс. 40-48. [pdf]
  8. Determination of the Young modulus from elastic section of the Berkovich indenter loading Curve. Kushch V.I., Dub S.N., Litvin P.M. // Journal of Super Hard Materials, 2007, vol.29, No 4, pp. 228-234. [pdf]
  9. Peculiarities of the PbTe nanoislet formation on BaF2 substrate at "hot wall" epitaxy method investigated by atomic force microscopy. T.I. Sheremeta, I.V. Prokopenko, P.M. Lytvyn, O.S.Lytvyn, V.M Vodop'yanov, A.P. Bakhtinov, E.I. Slyn'ko //Functional Materials 14, N. 1 (2007), р. 86-91. [pdf]
  10. Carbon - containing covering for anchoring breaking nematic microdevices. Kucheev, S.I., Litvin, P.M., Tkach, V.N., Chigrinov, V.G. //SID Conference Record of the International Display Research Conference, 2007, pp. 302-305.
  11. Electron beam micropatterning in liquid crystal cell by using nano-scale carbon containing films. Kucheev, S.I., Litvin, P.M., Tkach, V.N., Chigrinov, V.G. //Society for Information Display - 10th Asian Symposium on Information Display 2007, ASID'07 , pp. 256-259. 
  12. Peculiarities of the PbTe nanoislet formation on BaF2 substrate at "hot wall" epitaxy method investigated by atomic force microscopy. T.I. Sheremeta, I.V. Prokopenko, P.M. Lytvyn, O.S.Lytvyn, V.M Vodop'yanov, A.P. Bakhtinov, E.I. Slyn'ko // Functional Materials 14, N. 1 (2007), р. 86-91.
  13. Self-organization of PbTe and SnTe nanostructures on the van der Walls GaSe(0001) surface. Bakhtinov, A.P., Vodop'yanov, V.N., Slyn'ko, E.I., Kovalyuk, Z.D., Lytvyn, O.S.// Technical Physics Letters, 2007, 33 (1), pp. 86-90 [pdf]
  14. Самоорганизация наноструктур теллуридов свинца и олова на Ван-дер-Ваальсовой поверхности селенида галлия (0001). Бахтинов А.П., Водоп’янов В.Н., Слинько Е.И., Ковалюк З.Д.,  Литвин О.С. // Письма в ЖТФ, 2007, том 33, вып.2., 80-87. [pdf]
  15. Effect of rapid thermal annealing on the properties of thin dielectric films of gadolinium, titanium, and erbium oxides on the silicon carbide surface. Bacherikov, Yu.Yu., Dmitruk, N.L., Konakova, R.V., Kondratenko, O.S., Lytvyn, O.S., Milenin, V.V., Okhrimenko, O.B. et al.// Technical Physics, 2007, 52 (2), pp. 253-257 [pdf]
  16. Влияние быстрого термического отжига на свойства тонких диэлектрических пленок оксидов гадолиния, титана и эрбия на поверхности карбида кремния. Бачериков Ю.Ю., Дмитрук Н.И., Конакова Р.В., Кондратенко О.С., Литвин О.С., Миленин В.В., Охрименко О.Б. и др. // ЖТФ, 2007, том 77, вып.2, с. 107-112 [pdf]
  17. The structure and photoluminescence of SiO2 film with Ge nanocrystals obtained by pulsed laser deposition. Kaganovich E.B., Manoilov E.G., Begun E.V., Lytvyn O.S, Sheremeta T.I., Prokopenko I.V. // Ukr. J. Phys., 2007, V.52, N 3. 271-275. [pdf]
  18. Features oh photovoltagic and optical properties of CuInSe2 films prepared by flash evaporation. Vertsimakha Ya., Lutsyk P., Lytvyn O., Gashin P. // Ukr. J. Phys., 2007, V.52, N 4, р. 399-405 [pdf]
  19. Glucose sensing based on NIR fluorescence of DNA-wrapped single-walled carbon nanotubes. Karachevtsev, V.A., Glamazda, A.Yu., Leontiev, V.S., Lytvyn, O.S., Dettlaff-Weglikowska, U. // Chemical Physics Letters, 2007, 435 (1-3), pp. 104-108 [pdf]
  20. Size dependence of the third-order optical nonlinear susceptibility of PbS nanocrystals in PVA. Kutsenko, A.S., Rudenko, V.I., Volkov, V.I., Borshch, A.A., Brodyn, M.S., Lytvyn, O.S.// Molecular Crystals and Liquid Crystals 467 (1), pp. 247-253
  21. Fabrication and properties of ZnO:Cu and ZnO:Ag thin films. Khomchenko, V.S., Kryshtab, T.G., Savin, A.K., Zavyalova, L.V., Roshchina, N.N., Rodionov, V.E., Lytvyn, O.S., et al.// Superlattices and Microstructures, 2007, 42 (1-6), pp. 94-98
  22. Optical and photovoltaic properties of thin films of N,N'-dimethyl-3,4,9,10-perylenetetracarboxylic acid diimide. Vertsimakha, Ya., Lutsyk, P., Palewska, K., Sworakowski, J., Lytvyn, O.// Thin Solid Films, 2007, 515 (20-21), pp. 7950-7957
  23. Formation of nanostructure on the surface of layered InSe semiconductor caused by oxidation under heating. Bakhtinov, A.P., Kovalyuk, Z.D., Sydor, O.N., Katerinchuk, V.N., Lytvyn, O.S.// Physics of the Solid State.ю 2007, 49 (8), pp. 1572-1578
  24. Формирование нанообразований на поверхности слоистого полупроводника InSe в процессе термического окисления. А.П. Бахтинов, З.Д. Ковалюк, О.Н. Сидор, В.Н. Катеринчук, О.С. Литвин // ФТТ, 2007, том 49, выпуск 8. 1497-1503. [pdf]
  25. Effect of doping on properties of ZnО:Cu and ZnО:Ag thin films. Kryshtab, T., Khomchenko, V.S., Khachatryan, V.B., Roshchina, N.N., Andraca-Adame, J.A., Lytvyn, O.S., Kushnirenko, V.I. // Journal of Materials Science: Materials in Electronics, 2007, 18 (11), pp. 1115-1118 [pdf]
  26. Polymer films filled with organic molecules by CO2 laser evaporation in vacuum. Grytsenko K., Lytvyn O., Ivanov L.F., Grakovich P.N., Sonntag M., Schrader S. // Applied Surface Science, 2007,  Vol. 253, Issue 19, P. 8028. [pdf]
  27. Fabrication of silicon grating structures using interference lithography and chalcogenide inorganic photoresist.  Min'ko V.I., Shepeliavyi P.E., Indutnyy I.Z., Lytvyn O.S. // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics.  2007, V. 10, N 1, р. 40-44.
  28. Вплив методу литва на мікроструктуру стоматологічних нікель-хромових сплавів. Ю.І. Сухоребський, З.Р. Ожоган, О.С. Литвин // Український стоматологічний альманах 2007 №1 с. 26-30 [pdf]
  29. Вплив способу литва на структуру та корозійну стійкість стоматологічних кобальто-хромових сплавів.  Ю.І.Сухоребский, З.Р. Ожоган, О.С. Литвин, А.В. Гурін // Український стоматологічний альманах 2007, №4, 25-31 [pdf]


2006
  1. Morphology and optical properties of titanium-doped porous silicon carbide layers. Bacherikov, Yu.Yu., Konakova, R.V., Lytvyn, O.S., Okhrimenko, O.B., Svetlichnyi, A.M., Moskovchenko, N.N.// Technical Physics Letters 32 (2), pp. 140-142.
  2. Морфологические и оптические свойства слоев пористого карбида кремния с внедренными атомами титана. Бачериков Ю.Ю., Конакова Р.В., Литвин О.С., Охрименко О.Б., Светличный A.M., Московченко Н.Н. // Письма в ЖТФ, 2006, том 32, вып.. 4, стр. 6-10. [pdf]
  3. Properties and interconversion of self-induced SiGe nanoisland of different shapes. Valakh M.Ya., Dzhagan V.M., Krasil'nik Z.F., Lytvyn O.S., Lobanov D.N., Novikov A.V., Yukhymchuk V.O. // Ukr. J. Phys., 2006, V.51, N 2. 200-205 [pdf]
  4. Relationship between Condition of Deposition and Properties of W-Ti-N Thin Films Prepared by Reactive Magnetron Sputtering. Kuchuk A.V., Kladko V.P., Lytvyn O.S., Piotrowska A., Minikayev R., Ratajczak R. // Advanced Engineering Materials, 2006, V.8, N 3. 209-212. [pdf]
  5. Strain relaxation in thin Si1-x-yGexCy layers on Si substrates. Valakh M.Ya., Gamov D.V., Dzhagan V.M., Lytvyn O.S., Melnik V.P., Romanjuk B.M., Popov V.G., Yukhymchuk V.O. // Functional Materials, 2006, V.13, N 1. C. 28-30. [pdf]
  6. Plasma-deformation mechanism of nanocluster array formation on CdTe crystal surface under the action of a single laser pulse. Emel'yanov, V.I., Baidullaeva, A., Vlasenko, A.I., Kuzan, L.F., Lytvyn, O.S., Mozol', P.E.// Technical Physics Letters 32 (8), pp. 732-734
  7. Плазменно-деформационный механизм образования ансамбля нанокластеров на поверхности кристаллов CdTe при одноимпульсном лазерном воздействии. Емельянов В.И., Байдуллаева А., Власенко А.И., Кузан Л.Ф., Литвин О.С., Мозоль П.Е. // Письма в ЖТФ, 2006, т.32, вып.16. c. 90-94. [pdf]
  8. Самоорганізація наноструктур на поверхні шаруватого кристалу GaSe. Бахтінов А.П., Водоп’янов В.М., Ковалюк З.Д., Слинько Є.І., Литвин О.С. // Нові технології. Науковий вісник Кременчуцького університету економіки, інформаційних технологій і управління, 2006, № 2(12), cc. 81-84.
  9. Strain relaxation in thin SiGe epilayers doped with carbon. Valakh, M.Ya., Dzhagan, V.M., Lytvyn, O.S., Melnik, V.P., Romanjuk, B.M., Yukhymchuk, V.O. // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B 253 (2006) 27–30 [pdf]
  10. Modeling and constituent design of SPR based and/or waveguide type sensors. Dmitruk, N.L., Mayeva, O.I., Korovin, O.V., Sosnova, M.V., Lytvyn, O.S., Min'Ko, V.I. // 2006 25th International Conference on Microelectronics, MIEL 2006 - Proceedings , art. no. 1650957, 2006, pp. 317-320 
  11. Ohmic contacts to Hall sensors based on n-InSb-GaAs(i) heterostructures. Boltovets N.S., Konakova R.V., Kudryk Ya.Ya., Milenin V.V., Mitin V.F., Mitin E.V., Lytvyn O.S., Kapitanchuk L.M.// Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. 2006. V. 9, N 2. 58-60 [pdf]
  12. Атомно-силовая микроскопия тонкостенных углеродных нанотрубок и их механические свойства. Кода В.Ю., Нищенко М.М., Бричка А.В., Бричка С.Я., Приходько Г.П., Литвин О.С.// Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології. 2006, Т.3, №2, c. 307-314.
  13. Модуль Юнга углеродных нанотрубок по данням атомно-силовой микроскопии. Лисунова Ю.А., Нищенко М.М., Приходько Г.П., Кода В.Ю., Литвин О.С.// Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології. 2006, Т.4, №1, c. 199-207.
  14. Одержання фотолюмінісцентних Ge квантових точок методом імпульсного лазерного осадження. Прокопенко І.В., Литвин О.С., Шеремета Т.І., Манойлов Е.Г., Каганович Е.Б. // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології. – Т.4, №3, 2006. 653-662
  15. The correlation between the surface-energy minima and the shape of self-induced SiGe nanoislands. Yaremko AM, Valakh MY, Dzhagan VN, Lytvyn PM, Yukhymchuk VA.  Semiconductors. 2006;40(4):385-90.
  16. Взаимосвязь минимумов поверхностной энергии самоиндуцированных наноостровков  SiGe и их формы. А.М. Яремко, М.Я. Валах, В.Н. Джаган, П.М. Литвин, В.А. Юхимчук //Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 4, с. 391-396. [pdf]
  17. Features of special joints of grain boundaries in polysilicon films of equiaxial and dendritic structures. N.G. Nakhodkin, N.P. Kulish, P.M. Lytvyn, T.V. Rodionova //Functional Materials 13, No. 2 (2006) p.305-309. [pdf]
  18. Спосіб нанесення захисних елементів на компакт-диск. В.В. Петров, А.А. Крючин, С.М. Шанойло, В.О. Атамась, В.П. Бараненкова, С.О. Костюкевич, П.М. Литвин, Т.Г. Косско // Патент 75088, мпк (2006) G11b 7/24, G11b 7/26.
  19. Вплив типу структури полікремнієвих плівок на їх оптичні характеристики.  О. І. Барчук, П.М. Литвин, Є.А. Оберемок, Т.В. Родіонова, С.М.Савенко // Вісник Київського університету, Серія: фізико-математичні наук, 2006, 3, с. 299-305. [pdf]
  20. Розрахункова модель пружної енергії деформації шару з включеннями типу квантових точок. П.Литвин, Г. Мороз, В. Стрельчук, І. Прокопенко, Є. Чапля // Фізико-математичне моделювання та інформаційні технології, 2006, вип. 4, 47-59. [pdf]
  21. A silicon carbide thermistor. N.S. Boltovets, V.V. Kholevchuk, R.V. Konakova, Ya.Ya. Kudryk, P.M. Lytvyn,V.V. Milenin, V.F. Mitin, E.V. Mitin // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 2006. V. 9, N 4. P. 67-70. [pdf]
  22. Testing of p-n junction on silicon surface in nematic cell. Gritsenko, M.I., Kucheev, S.I., Litvin, P.M., Tkach, V.M., Yelshansky, V.B. //Proceedings of the 14th International Symposium: Advanced Display Technologies 2006, pp. 66-72.

2005
  1. Surface preparation of 6H-SiC substrates by electron beam annealing. Agueev OA, Avdeev SP, Svetlichnyi AM, Konakova RV, Milenin VV, Lytvyn PM, Lytvyn O.S., Okhrimenko O.B., Soloviev S.I., Sudarshan T.S.// Materials Science Forum, 2005, 483-485, pp. 725-728.
  2. Самоорганизация трехмерных нанообразований теллурида свинца в условиях, близких к термодинамическоу равновесию. В.П. Водопьянов, А.П. Бахтинов, Е.И. Слынько, Г.В. Лашкарев, В.М. Радченко, П.М. Литвин, О.С. Литвин. // Письма в ЖТФ, 2005, том 31, вы. 16, с.88-94.
  3. Composition and elastic strain in capped self-induced SiGe nanoislands. M.Ya. Valakh, V.M. Dzhagan, Z.F. Krasil'nik, O.S. Lytvyn, A.V. Novikov, V.O. Yukhymchuk. //Ukr. J. Phys. 2005. V. 50, N 9, р.986-989.
  4. New technological possibilities to prepare InP epitaxial layers, as well as ohmic and barrier contacts to them, and the propertiesof microwave diodes made on their basis. I.N. Arsentyev, A.V. Bobyl, I.S. Tarasov, M.V. Shishkov, N.S. Boltovets, V.N. Ivanov, A.E. Belyaev,A.B. Kamalov, R.V. Konakova, Ya.Ya. Kudryk, O.S. Lytvyn, P.M. Lytvyn, E.P. Markovskiy, V.V. Milenin // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 2005. V. 8, N 4. P. 105-114.
  5. Raman spectroscopy and electroreflectance studies of self-assembled SiGe nanoislands grown at various temperatures. Valakh, M.Ya., Holiney, R.Yu., Dzhagan, V.N., et al. // Physics of the Solid State, 2005, 47 (1), pp. 54-57
  6. Спектроскопия комбинационного рассеяния света и электроотражение самоорганизованых SiGe-наноостровков, сформированных при различных температурах. Валах М.Я., Голиней Р.Ю., Джаган В.Н., Красильник З.Ф., Литвин О.С., Лобанов Д.Н., Милехин А.Г., Никифоров А.И.// Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 1, с. 54-57 [pdf]
  7. Effect of microwave radiation on the properties of Ta2O5–Si microstructures. Atanassova E., Konakova R.V., Mitin V.F., Koprinarova J., Lytvyn O.S., Okhrimenko O.B., Schinkarenko V.V., Virovska D. // Microelectronics Reliability, 2005, Vol. 45. 124-135. [pdf]
  8. The Formation of Nanodimensional Structures on the Surface of p-CdTe Crystals Exposed to a Single Radiation Pulse from a Ruby Laser.A. Baidullaeva, A. I. Vlasenko, L. F. Cuzan, O. S. Litvin, P. E. Mozol’ // Semiconductors. 2005; 39(9): 1028-1031.
  9. Образование наноразмерных структур на поверхности кристаллов p-CdTe при однократном воздействии импульсом излучения рубинового лазера. Байдуллаева А., Власенко А.И., Кузан Л.Ф., Литвин О.С., Мозоль П.Е.// Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 9, с. 1064-1067. [pdf]
  10. Polymer Materials with Organic Dyes of Various Ionic Ability for Photosensitive and Light Emitting Structures. Fenenko L., Smertenko P., Svechnikov S., Lytvyn O., Ishchenko A., Davidenko N., Micheal Hietschold, Falk Mueller // Molecular Crystals and Liquid Crystals, 2005, V.427 (49)
  11. Raman study of self-assembled SiGe nanoislands grown at low temperatures. Valakh M.Ya., Yukhymchuk V.O., Dzhagan V.M., Lytvyn O.S., Milekhin A.G., Nikiforov A.I., Pchelyakov O.P., Alsina F., Pascual J. // Nanotechnology, 2005, Vol. 16. 1464-1467 [pdf]
  12. Effect of Nitrogen in Ta—Si—N Thin Films on Properties and Diffusion Barrier Performances. Kuchuk A.V., Kladko V.P., Machulin V.F., Lytvyn O.S., Коrchovyi А.А., Piotrowska A., Minikayev R.A., Jakiela R. // Металлофиз. новейшие технол. 2005, т. 27, № 5, сс. 625 – 634 [pdf]
  13. Composition and elastic strain in capped self-induced SiGe nanoisland. Valakh M.Ya., Dzhagan V.M., Krasil’nik Z.F., Lytvyn O.S, Novikov A.V., Yukhymchuk V.O.// Ukr. J. Phys., 2005, V.50, N 9. 986-989
  14. Вирощування квантових точок PbTe/BaF2 методом гарячої стінки. Водоп’янов В.Н., Слинько Є.І., Бахтінов А.П., Литвин П.М., Литвин О.С., Радченко М.В., Лашкарьов Г.В., Штепура А.А. // Доповіді НАН України. Матеріалознавство, 2005, № 5, сс.87-90.
  15. Experimental and theoretical study of the influence of growth temperature on composition in self-assembled SiGe QD's. Yaremko A.M., Yukhymchuk V.O., Valakh M.Ya., Novikov A.V., Melnik V.P., Lytvyn O.S, Lobanov D.N., Krasil'nik Z.F., Klad'ko V.P., Dzhagan V.M. // Materials Science and Engineering: C, 2005, Vol.25, Issues 5-8, P.565-569.
  16. Морфология и оптические свойства оксидных пленок гадолиния, титана и эрбия на поверхности n-6HSiC. Cветличный А.М., Поляков В.В., Шелкунов А.А., Бачериков Ю.Ю., Дмитрук Н.Л., Конакова Р.В., Кондратенко О.С., Литвин О.С., Миленин В.В., Охрименко О.Б., Капитанчук Л.М Вестник Новгородского гос. Универститета им. Ярослава Мудрого, 2005, № 30 105-109 [pdf]
  17. Особенности роста самоиндуцированных SiGe наноостровков на SiGe буфере. Валах М.Я., Джаган В.Н., Красильник З.Ф., Литвин О.С., Лобанов Д.Н., Новиков А.В., Юхимчук В.А. // Нано- и микросистемная техника. Нанотехнологии и зондовая микроскопия, 2005, № 6, стр. 8-13. [pdf]
  18. Changes of surface properties of yeast cell wall under exposure of electromagnetic field (40.68 MHz) and action of nystatin. Voychuk SI, Gromozova EN, Lytvyn PM, Podgorsky VS. // Environmentalist. 2005;25(2-4 SPEC. ISS.):139-44.
  19. High temperature contacts to GaN and SiC based on TiBx nanostructure layers. Boltovets M.S., Ivanov V.N., Avksentyev A.Yu., Belyaev A.E., Borisenko A.G., Fedorovitsh O.A., Konakova R.V., Kudryk Ya.Ya.,  Lytvyn P.M. , Milenin V.V., Sachenko A.V., Sveschnikov Yu.N.  // Materials Science Forum 483-485, pp. 1061-1064.
  20. Formation of nanohills on the surface of 6H-SiC:N at an early stage of laser ablation. Medvid A, Malevich V, Lytvyn P. In: // Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering 5946, art. no. 59460C, 2005, pp. 1-6.
  21. Surface preparation of 6H-SiC substrates by electron beam annealing. Agueev OA, Avdeev SP, Svetlichnyi AM, Konakova RV, Milenin VV, Lytvyn PM,Lytvyn O.S., Okhrimenko O.B., Soloviev S.I., Sudarshan T.S.//  ; Materials Science Forum, 2005, 483-485, pp. 725-728.
  22. Phase transition on surface of IV group semiconductors by laser radiation. Medvid A, Onufrijevs P, Grabovskis D, Mychko A, Snitka V, Lytvyn P, Plaushinaitiene V. // ; Diffusion and Defect Data Pt.B: Solid State Phenomena, 2005, 108-109, pp. 345-350.
  23. Thermal stability of multilayer contacts on gallium nitride. Belyaev AE, Boltovets NS, Ivanov VN, Konakova RV, Kudryk YY, Lytvyn PM, et al. // Technical Physics Letters. 2005;31(12):1078-81.
  24. Термическая стабильность многослойных контактов, сформированных на GaN.  А.Е. Беляев, Н.С. Болтовец, В.Н. Иванов, Р.В. Конакова, Я.Я Кудрик, П.М. Литвин, В.В Миленин, Ю.Н. Свешников // Письма в ЖТФ, 2005, том 31, вып 24, с. 88-94. [pdf]
  25. Effect of surface energy minima on the shape of self-induced SiGe nanoislands. Yaremko AM, Dzhagan VM, Lytvyn PM, Yukhymchuk VO, Valakh MY.  // Physica Status Solidi (B) Basic Research. 2005;242(14):2833-7. [pdf]
  26. Microsize defects in InGaAs/GaAs (N11)A/B multilayers quantum dot stacks. Lytvyn PM, Prokopenko IV, Strelchuk VV, Mazur YI, Wang ZM, Salamo GJ. // J Cryst Growth. 2005;284(1-2):47-56. [pdf]
  27. Self-organization of three-dimensional lead telluride nanoislands under conditions close to thermodynamic equilibrium.Vodop'yanov VN, Bakhtinov AP, Slyn'ko EI, Lashkarev GV, Radchenko VM, Lytvyn PM, et al. // Technical Physics Letters. 2005;31(8):716-8. [pdf]
  28. Laser processing and characterization of ZnS-Сu thin films. Khomchenko V, Fedorenko L, Yusupov N, Rodionov V, Bacherikov Y, Svechnikov G, et al. //  Appl Surf Sci. 2005;247(1-4):434-9. [pdf]
  29. Electrolytic molybdenum oxides in lithium batteries. Shembel E, Apostolova R, Nagirny V, Kirsanova I, Grebenkin P, Lytvyn P. // Journal of Solid State Electrochemistry. 2005;9(2):96-105. [pdf]
  30. Oxidation of hydrogenated crystalline silicon as an alternative approach for ultrathin SiO2 growth. Szekeres A, Alexandrova S, Lytvyn P, Kompitsas M. //  Journal of Physics: Conference Series. 2005;10(1):246-50.
  31. Влияние микроволновой обработки на уровень остаточной деформации и параметры глубоких уровней в монокристаллах карбида кремния. Конакова Р.В., Литвин П.М., Олих О.Я. //Физика и химия обработки материалов 2005, №2, с. 19-22. [pdf]
  32. Квантовo-размерные эффекты в полевой и электронной эмиссии из нанокластеров Ge на Si(111), выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии.  А.А. Дадыкин, Ю.Н. Козырев, П.М. Литвин, А.Г. Наумовец, М.Ю. Рубежанский //Наноструктурное материаловедение, 2005, №1, с. 19-25. [pdf]
  33. Вплив легування фосфором на структурні характеристики дендритних полікремнієвих плівок.  М.Г. Находкін, М.П. Куліш, П.М. Литвин, Н.О. Новохацька, Т. В. Родіонова. // Вісник Київського уніврситету серія: фізико-математичні науки, 2005, 2, с.359-364. [pdf]
  34. Applicatoin of amorphous chalcogenide films for recording of high-frequency phase-relief diffractoin. V.I.Min'ko, I.Z. Indutnyy, P.E. Shepeliavyi, P.M. Lytvyn. // Jourmal of Optoelectronics and Advanced matrials vol. 7, No 3, 2005, p. 1429-1432. [pdf]
  35. Composition and elastic strain in capped self-induced SiGe nanoislands. M.Ya. Valakh, V.M. Dzhagan, Z.F. Krasil'nik, O.S. Lytvyn, A.V. Novikov, V.O. Yukhymchuk. //Ukr. J. Phys. 2005. V. 50, N 9, р.986-989. [pdf]
  36. Самоорганизация трехммерных нанообразований теллурида свинца в условиях, близких к термодинамическоу равновесию. В.П. Водопьянов, А.П. Бахтинов,  Е.И. Слынько, Г.В. Лашкарев, В.М. Радченко, П.М. Литвин, О.С. Литвин. // Письма в ЖТФ, 2005, том  31, вы. 16, с.88-94. [pdf]
  37. Porous nanostructured InP: technology, properties, application. I.N. Arsentyev, A.B. Bobyl, S.G. Konnikov, I.S. Tarasov, V.P. Ulin, M.V. Shishkov, N.S. Boltovets,V.N. Ivanov, A.E. Belyaev, R.V. Konakova, Ya.Ya. Kudryk, A.B. Kamalov, P.M. Lytvyn,E.P. Markovskiy, V.V. Milenin, R.A. Red’ko // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 2005. V. 8, N 4. P. 95-104. [pdf]
  38. New technological possibilities to prepare InP epitaxial layers, as well as ohmic and barrier contacts to them, and the propertiesof microwave diodes made on their basis. I.N. Arsentyev, A.V. Bobyl, I.S. Tarasov, M.V. Shishkov, N.S. Boltovets, V.N. Ivanov, A.E. Belyaev,A.B. Kamalov, R.V. Konakova, Ya.Ya. Kudryk, O.S. Lytvyn, P.M. Lytvyn, E.P. Markovskiy, V.V. Milenin // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 2005. V. 8, N 4. P. 105-114. [pdf]
  39. Screen-printed p-CdTe layers for CdS/CdTe solar cells.  V.P. Klad’ko, P.M. Lytvyn, N.M. Osipyonok, G.S. Pekar, I.V. Prokopenko, A.F. Singaevsky // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 2005. V. 8, N 2. P. 61-65. [pdf]